[发明专利]基于双控制栅MOSFET结构的光电探测器有效
| 申请号： | 200910030729.2 | 申请日： | 2009-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101533845A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 闫锋;徐跃;张荣;施毅 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/113;H01L29/788;H01L29/423;H01L31/18;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 双控制栅MOSFET探测器，探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区，分别构成MOSFET的源区(2)和漏区(3)，源、漏区的外部设有重掺杂的P型半导体区(4)包围，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层，所述光电子存储层是多晶硅；控制栅极是多晶硅、金属或透明导电电极；所述控制栅为分裂栅，设计为一个小控制栅和一个大控制栅；探测器单元的层次从上往下依次是控制栅、第二层绝缘介质层、浮置栅、第一层绝缘介质层和P型半导体衬底(1)；从控制栅往下到基底层设为对探测器探测光波透明的或半透明的窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 控制 mosfet 结构 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1、双控制栅MOSFET探测器，其特征是探测器每个单元的构成是：在基底P型半导体硅材料(1)上方的两侧设有重掺杂的N型半导体区，分别构成MOSFET的源区(2)和漏区(3)，源、漏区的外部设有重掺杂的P型半导体区(4)包围，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层，所述光电子存储层是多晶硅；控制栅极是多晶硅、金属或透明导电电极；所述控制栅为分裂栅，设计为一个小控制栅(5)和一个大控制栅(6)；探测器单元的层次从上往下依次是控制栅(5，6)、第二层绝缘介质层(7)、浮置栅(8)、第一层绝缘介质层(9)和P型半导体衬底(1)；从控制栅往下到基底层设为对探测器探测光波透明的或半透明的窗口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
