[发明专利]一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺

摘要

本发明公开了一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺，经过前序准备步骤，将清洗好的钼圆片置于钌溶液中的电解槽中进行化学还原，形成覆盖在钼圆片表面的钌膜；之后放入氢气炉加热至800℃后，钌层扩散，渗透合金，保温1小时，然后在氢气中冷却至100℃，然后空气中自然冷却。而后采用除油污超声波清洗机用蒸馏水清洗10分钟；根据所需钌层厚度，重复上述的化学还原，钌层扩散渗透合金过程。通过上述工艺制备的超大尺寸的钼圆片表面渗钌工艺，合金层内部晶粒分布均匀，不易开裂，稳定性好；在高温下不易氧化，压降小，能够长期保证芯片正常运行；使用寿命长，产品的各项指标均优于市场上的相同产品。

主权项

1、一种超大直径钼圆片表面渗钌工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将钼圆片置于800℃退火炉中在真空状态或氢气下退火2小时，退火时钼圆片竖直摆放；步骤2，研磨钼圆片至平面度在3μm以下，之后清洗干净至粗糙度Ra为0.3μm以下；采用除油污超声波清洗机用蒸馏水清洗10分钟，然后进行表面活化；步骤3，将钼圆片置于充满钌离子溶液的电解槽中，进行电解还原，形成覆盖在钼圆片表面均匀的钌膜层，用蒸馏水冲洗钼圆片；步骤4，把钼圆片放入氢气炉加热至800℃后渗透合金1个小时；步骤5，在氢气保护下空冷至100℃以下，之后取出钼圆片；步骤6，采用除油污超声波清洗机用蒸馏水清洗钼圆片10分钟；步骤7，重复步骤3～步骤6，循环操作1～10次；步骤8，将钼圆片置于氢气炉700℃恒温钌层扩散，渗透合金化，时间为15分钟，之后置于惰性气体室冷却到室温。