[发明专利]阻变氧化物材料的Co3O4薄膜和制备方法及其应用无效
| 申请号： | 200910025901.5 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101498042A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 殷江;高旭;季剑锋;夏奕东;刘治国 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B28/14;H01L21/363;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，该薄膜为多晶态，其化学式为Co3O4，薄膜厚度为200nm，其制备方法是：(1)CoOx(0＜x＜4/3)陶瓷靶材的制备；(2)将CoOx靶材固定在靶台上，衬底固定在衬底台上，均置于生长室中；(3)用机械泵和分子泵将生长室抽真空，关闭分子泵后，打开进气阀，向生长室通入氧气至氧气压20Pa；(4)用激光器的激光束通过透镜聚焦在CoOx靶材上；(5)用电阻炉加热衬底台，使衬底温度达660℃；(6)按单脉冲能量，确定沉积时间，在衬底上沉积厚度为200nm的Co3O4薄膜。用该薄膜制备非易失性阻变存储记忆元件，该元件的基本构型为三明治结构，即将一层多晶态氧化物Co3O4薄膜沉积在下电极Pt电极膜上，用一根Pt探针作为上电极。构成一个记忆单元。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 材料 co sub 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1. 一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，其特征在于该薄膜为多晶态，其化学式为Co3O4，薄膜厚度为200nm。
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