[发明专利]一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法

摘要

本发明公开了一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法，包括如下6个步骤：热处理、第一次磷扩散、第一次驱入处理、第二次磷扩散、第二次驱入处理、保温，从而完成掺镓单晶硅片的磷扩散处理。本发明的磷扩散方法降低了掺镓单晶硅片的表面复合，提高了其光电转换效率，降低了效率的衰减；实际应用证明，采用本发明的方法得到电池片与常规扩散处理得到的电池片相比，其光电转换效率可提高0.5％左右，具有显著的积极意义。

主权项

1. 一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将待处理的掺镓单晶硅片在800～840℃氮气气氛中进行热处理10～30分钟；所述掺镓单晶硅片的导电类型为P型，电阻率为0.5～6欧姆厘米；(2)在800～845℃下通磷源进行第一次扩散处理15～30分钟；(3)升温至850～920℃，在氮气和氧气气氛中进行第一次驱入处理10～30分钟；(4)在850～920℃下通磷源进行第二次扩散处理25～45分钟；(5)在步骤(4)的温度上降温10～50℃，在氮气和氧气气氛中进行第二次驱入处理15～45分钟；(6)最后在750～820℃氮气气氛中保温10～60分钟，完成掺镓单晶硅片的磷扩散处理。