[发明专利]一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法有效
| 申请号： | 200910024890.9 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101499501A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王立建;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215129江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 单晶硅 太阳能电池 扩散 方法 | ||
1.一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将待处理的掺镓单晶硅片在800～840℃氮气气氛中进行热处理10～30分钟；所述掺镓单晶硅片的导电类型为P型，电阻率为0.5～6欧姆厘米；
(2)在800～845℃下通磷源进行第一次扩散处理15～30分钟；
(3)升温至850～920℃，在氮气和氧气气氛中进行第一次驱入处理10～12分钟；
(4)在850～920℃下通磷源进行第二次扩散处理25分钟；
(5)在步骤(4)的温度上降温10～50℃，在氮气和氧气气氛中进行第二次驱入处理15～45分钟；
(6)最后在750～820℃氮气气氛中保温15～25分钟，完成掺镓单晶硅片的磷扩散处理；
所述步骤(2)和(4)中的氮气流量为10～45L/min，氧气流量为2～5L/min，POCl3流量1～3L/min。
2.根据权利要求1所述的制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于：所述步骤(1)中的氮气流量为10～45L/min。
3.根据权利要求1所述的制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于：所述步骤(3)和(5)中的氮气流量为10～45L/min，氧气流量为0.5～10L/min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
