[发明专利]一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法

摘要

本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，调节电子束束流，使靶材蒸发后在衬底上的沉积速率为0.2-0.5nm/s，待衬底上达到所需沉积厚度时，停止蒸发，冷却后完成制备。本发明利用常规电子束蒸发装置在较低温度下制备出小尺寸的ITO纳米线材料。所获得的纳米材料不仅具有优异的场发射性能和良好的减反射特性，而且均匀可控，成本低廉，可以实现大面积制备，不需要添加任何催化剂，因此可以在发光、显示和光伏产业中应用。

主权项

1. 一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，包括以下步骤：第一步、在电子束蒸发仪腔体中装入块状或片状的ITO靶材和衬底；第二步、关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内真空抽至低于5×10-4Pa，同时烘烤腔体，温度达到100摄氏度；第三步、将电子束斑打在ITO靶材表面，使靶材蒸发后在衬底上沉积，衬底温度保持在100-300摄氏度；第四步、调节电子束束流，使靶材蒸发后在衬底上的沉积速率为0.2-0.5nm/s；第五步、待衬底上达到所需沉积厚度时，停止蒸发，冷却后取出完成制备的衬底。