[发明专利]用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置

摘要

用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置，涉及带电激子的生成方法及装置用能量大于ZnSe量子阱禁带宽度的激光对异质结构硒化锌/碲化铍中的硒化锌阱层进行激发而产生电子和空穴；本发明装置由光低温恒温器、激光器、光谱仪等组成，反射镜、透镜、棱镜组成光路放置在激光器之前；棱镜前面放置光低温恒温器，经棱镜转向的激光可入射到光低温恒温器中；另一透镜放置在棱镜的后面，可会聚来自光低温恒温器内硒化锌/碲化铍样品的辐射光(即荧光PL)；该透镜后面放置光纤和光谱仪，光谱仪带有CCD检测器，两者连接在计算机上，能自动完成光谱检测任务。本发明方法简单，实验条件宽松，不影响晶体的结构质量。

主权项

1、一种用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法，步骤如下：1)将硒化锌/碲化铍样品裁剪成长方形晶片，对其表面用丙酮溶液去污、超纯净水冲洗、高纯氮气吹干后，再将样品粘贴在圆形铜片上；2)将粘贴有硒化锌/碲化铍样品的铜片固定在样品支架上，然后放置于盛有低温液体氦的光低温恒温器中；光低温恒温器与抽气机相连，样品旁装有加热丝及温度探测装置；通过单独调节抽气机的抽速或加热丝中的电流，将样品的温度控制在约1～150K之间；3)将能量为2.8～4.0eV、激发密度为0.001～200W/cm2的激光束垂直投射在样品的上表面上；4)样品产生的荧光经凸透镜会聚后可经由光纤输出至光谱仪；5)经光谱仪分光后，由CCD检测器得到带电激子的荧光光谱。