[发明专利]用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置无效
| 申请号： | 200910020719.0 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101539519A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 冀子武;郑雨军;赵雪琴;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G02B5/04;H01L21/205 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用光 激发 掺杂 量子 产生 带电 激子 方法 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法，其中带电激子为带负电的激子，它是由两个电子和一个空穴组成的激子复合体，该方法步骤如下：
1)将硒化锌/碲化铍样品裁剪成长方形晶片，对其表面用丙酮溶液去污、超纯净水冲洗、高纯氮气吹干后，再将样品粘贴在圆形铜片上；
2)将粘贴有硒化锌/碲化铍样品的铜片固定在样品支架上，然后放置于盛有低温液体氦的光低温恒温器中；光低温恒温器与抽气机相连，样品旁装有加热丝及温度探测装置；通过单独调节抽气机的抽速或加热丝中的电流，将样品的温度控制在1～150K之间；
3)将能量为2.8～4.0eV、激发密度为0.001～200W/cm2的激光束垂直投射在样品的上表面上；
4)样品产生的荧光经凸透镜会聚后经由光纤输出至光谱仪；
5)经光谱仪分光后，由CCD检测器得到带电激子的荧光光谱。
2.如权利要求1所述的一种用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法，其特征在于步骤1)中的硒化锌/碲化铍样品结构可以是单量子阱，也可以是多量子阱或者是超晶格结构。
3.如权利要求1所述的一种用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法，其特征在于步骤1)中的硒化锌/碲化铍样品中ZnSe量子阱的厚度为10～80ML。
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