[发明专利]一种高效单片式四结太阳电池有效
| 申请号： | 200910019871.7 | 申请日： | 2009-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101533863A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 林桂江;黄生荣;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0328;H01L31/0304;H01L31/02 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种高效单片式四结太阳电池，第一结电池是Ge电池，第三结电池是GaInAs电池，第四结电池是GaInP电池，Ge电池和GaInAs电池之间设有第二结电池是应变补偿GaAsP/GaInAs超晶格电池；上述四个子电池由三个AlGaAs/GaInP隧穿结连接构成单片式串联结构，各子电池及其之间的隧穿结均与衬底实现晶格匹配，第一、第二和第三结子电池短路电流相等，第四结电池短路电流夫于前三结电池的短路电流。通过在Ge电池和GaAs电池中插入应变补偿GaAsP/GaInAs超晶格电池，在不改变多结电池光电流密度的情况下增加一结电池，且多结电池的各子电池电流更加匹配，使得电池的光电转换效率大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 单片 式四结 太阳电池 | ||
【主权项】：
1. 一种高效单片式四结太阳电池，第一结电池是Ge电池，第三结电池是GaInAs电池，第四结电池是GaInP电池，其特征是：Ge电池和GaInAs电池之间设有第二结电池是应变补偿GaAsP/GaInAs超晶格电池；上述四个子电池由三个AlGaAs/GaInP隧穿结连接构成单片式串联结构，各子电池及其之间的隧穿结均与衬底实现晶格匹配，第一、第二和第三结子电池短路电流相等，第四结电池短路电流大于前三结电池的短路电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
