[发明专利]一种高效单片式四结太阳电池有效

申请号：	200910019871.7	申请日：	2009-03-18
公开（公告）号：	CN101533863A	公开（公告）日：	2009-09-16
发明（设计）人：	林桂江;黄生荣;吴志强	申请（专利权）人：	厦门市三安光电科技有限公司
主分类号：	H01L31/042	分类号：	H01L31/042;H01L31/0328;H01L31/0304;H01L31/02
代理公司：	厦门原创专利事务所	代理人：	徐东峰
地址：	361009福建省厦门***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	一种高效单片式四结太阳电池
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【权利要求书】：

1.一种高效单片式四结太阳电池，第一结电池是Ge电池，第三结电池是GaInAs电池，第四结电池是GaInP电池，其特征是：Ge电池和GaInAs电池之间设有第二结电池是应变补偿GaAsP/GaInAs超晶格电池；上述四个子电池由三个AlGaAs/GaInP隧穿结连接构成单片式串联结构，各子电池及其之间的隧穿结均与衬底实现晶格匹配，第一、第二和第三结子电池短路电流相等，第四结电池短路电流大于前三结电池的短路电流。

2.如权利要求1所述的一种高效单片式四结太阳电池，其特征在于：应变补偿GaAsP/GaInAs超晶格电池的等效晶格常数为5.65～5.66等效带隙为0.9eV～1.1eV。

3.如权利要求1所述的一种高效单片式四结太阳电池，其特征在于：应变补偿GaAsP/GaInAs超晶格势垒层GaAsP的厚度为3～6nm。

4.如权利要求2或3所述的一种高效单片式四结太阳电池，其特征在于：应变补偿GaAsP/GaInAs超晶格电池的等效晶格常数为5.658等效带隙为1.02eV。

5.如权利要求1所述的一种高效单片式四结太阳电池，其特征在于：GaInAs电池的In组份为0～0.013。

6.如权利要求1所述的一种高效单片式四结太阳电池，其特征在于：GaInAs电池的In组份优选值为0.01。

7.如权利要求1所述的一种高效单片式四结太阳电池，其特征在于：GaInP电池的带隙大于1.86eV。

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