[发明专利]一种提高Nand Flash芯片使用寿命的方法

摘要

本发明公开了一种提高Nand Flash芯片使用寿命的方法，属于一种延长硬盘使用寿命的技术领域，将Nand Flash芯片中的数据块Block划分到动态存储区与静态存储区，并在设定的条件下，动态存储区与静态存储区区域转换，从而达到读写次数的均衡。本发明的一种提高Nand Flash芯片使用寿命的方法和现有技术相比，能克服现有技术热点均衡算法的局限性，更好的均衡了Nand Flash芯片中Block的擦除次数，从而提高了Nand Flash芯片的使用寿命，继而提高了以Nand Flash芯片为存储介质的SSD的使用寿命；设计合理、操作方便。

主权项

1、一种提高Nand Flash芯片使用寿命的方法，其特征在于将Nand Flash芯片中的数据块Block划分到动态存储区与静态存储区，并在设定的条件下，动态存储区与静态存储区区域转换，从而达到读写次数的均衡；由一个参数Ei来确定每个数据块Block是为动态存储区或为静态存储区，Ei＝αXi/(∑Xi/n)，其中，Blocki为第i(i为正整数)个数据块Block，Xi为Blocki的擦除次数，n为数据块Block的总数，α为可设置的参数；根据需求设定一个临界值，当Ei大于这个临界值时，则Blocki为动态存储区，当Ei小于这个临界值时，则Blocki为静态存储区。