[发明专利]一种提高SSD随机写性能的方法无效
| 申请号： | 200910019044.8 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101667449A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 于治楼;李峰;姜凯;梁智豪 | 申请（专利权）人： | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250014山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高SSD随机写性能的方法，属于硬盘写性能领域，在Nand Flash芯片写控制流程及控制电路中，采取以下措施，使SSD写速度得以很大的提高：(1)将原本独立的SSD的存储介质Nand Flash芯片并行起来，共用Nand Flash芯片的控制逻辑，但分别使用各自的数据线；(2)根据NandFlash芯片的写操作工作原理，将写操作分为寻址、数据写入和ECC检测3个步骤，并组成一个3级流水线；(3)在流水线数据写入级中加入2个Nand Flash芯片的页大小的Buffer，作为写入数据缓冲。本发明和现有技术相比，SSD的写速度得到很大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 ssd 随机 性能 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高SSD随机写性能的方法，包括Nand Flash芯片，其特征在于在Nand Flash芯片写控制流程及控制电路中，采取以下措施，使SSD写速度得以很大的提高：(1)、将原本独立的SSD的存储介质Nand Flash芯片并行起来，共用NandFlash芯片的控制逻辑，但分别使用各自的数据线；(2)、根据Nand Flash芯片的写操作工作原理，将写操作分为寻址、数据写入和ECC检测3个步骤，并组成一个3级流水线；(3)、在流水线数据写入级中加入2个Nand Flash芯片的页大小的Buffer，作为写入数据缓冲。
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