[发明专利]一种发光二极管的制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管的制造方法，本发明的技术方法是在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，其特征是通过在发光层的上表面蒸镀一层金属层或者在发光层的上表面先后蒸镀金属层和介质层，再用氟化铵腐蚀液、磷酸腐蚀液、氢氟酸腐蚀液或王水腐蚀掉所述的介质层，用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层，最后进行正负接线电极的制作和切割成芯片。这种发明方法是通过高温退火过程中金属与半导体表面的相互作用，破坏原来半导体表面平整性，从而实现表面粗化的目的，进而提高发光二极管的发光效率。

主权项

1.一种发光二极管的制造方法，在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极，其特征在于在发光层上表面蒸镀一层金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；所述的金属层的材料选自Au、Sn、Ge、Be、Ti、Al或In中的一种或者其中两种金属的合金；所述金属层的厚度为所述的退火温度为220～600℃，退火时间为3～20分钟。