[发明专利]一种发光二极管的制造方法在审
| 申请号： | 200910010066.8 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101777608A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 杨东;祝进田;肖志国;陈向东 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管的制造方法，在衬底上依次生长发光层和正负两个接线电极， 其特征在于在发光层上表面蒸镀一层金属层，蒸镀结束后再进行退火，退火后 用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；
所述的金属层的材料选自Au、Sn、Ge、Be、Ti、Al或In中的一种或者其 中两种金属的合金；
所述金属层的厚度为100～30000
所述的退火温度为220～600℃，退火时间为3～20分钟。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制造方法，其特征在于在所述的金 属层上生长一介质层，退火后用氟化铵腐蚀液、磷酸、氢氟酸腐蚀液或王水腐 蚀掉所述的介质层，再用王水、盐酸或硝酸腐蚀掉所述的金属层；
所述介质层的厚度为200～2000
所述的介质层材料选自二氧化硅、氮化硅或者铟锡氧化物。
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