[发明专利]半导体激光器有效
| 申请号： | 200910009970.7 | 申请日： | 2009-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101588020A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 山口勉;西田武弘;大仓裕二;高濑祯 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器。在脊宽度朝向射出端面扩大的扩张脊型双沟道结构的半导体激光器中，随着光输出的变化，水平方向的远场图形的强度中心以及形状发生变动，不能得到稳定的成品率。本发明提供一种半导体激光器，其通过使脊宽度最窄的地方的两侧的沟道部的宽度比光射出端面部的沟道宽度变宽，能够抑制随着光输出变化的水平方向的远场图形的强度中心的变动，射出远场图形的形状稳定的激光光束。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，是双沟道型脊结构的半导体激光器，具有：脊；位于上述脊的两侧，夹着上述脊，与上述脊相比等效折射率小的沟道部；以及在上述沟道部的外侧，具有比上述沟道部的等效折射率大的等效折射率的层，该半导体激光器的特征在于，上述脊具有朝向光射出端面而宽度变宽的扩张脊结构，上述脊的宽度最窄的地方的两侧位置的沟道部的宽度，与上述光射出端面部的沟道部的宽度相比变宽。
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