[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，是双沟道型脊结构的半导体激光器，具有：

脊；

位于上述脊的两侧，夹着上述脊，与上述脊相比等效折射率小的沟道部；以及

在上述沟道部的外侧，具有比上述沟道部的等效折射率大的等效折射率的层，该半导体激光器的特征在于，

上述脊具有朝向光射出端面而宽度变宽的扩张脊结构，上述脊的宽度最窄的地方的两侧位置的沟道部的宽度，与上述光射出端面部的沟道部的宽度相比变宽，

从上述脊的宽度最窄的地方的上述脊的中心到上述沟道的外端的距离比从上述光射出端面的上述脊的中心到上述沟道的外端的距离大。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，是双沟道型脊结构的半导体激光器，上述脊的宽度为T，等效折射率为n1，上述沟道部的等效折射率为n2，振荡波长为λ，用基模振荡，该半导体激光器的特征在于，

在以

E＝Acos(ux)(x≤T/2)...(1)

E＝Acos(uT/2)exp(-w(|x|-T/2))(x≥T/2)

...(2)

u²+w²＝(n₁²-n₂²)(2π/λ)²T²...(3)

w＝u·tan(u)...(4)

表示距上述脊的中心的距离x的电场E的情况下，其中，A是规定的系数，

上述脊的宽度最窄的地方的沟道部的宽度Wc被设定，以使X＝0的电场E1与X＝T/2+Wc的电场E2的比E2/E1满足

0.0001≤E2/E1≤0.01···(5)。

3.根据权利要求1或2的任一项所述的半导体激光器，其特征在于，振荡波长在601nm以上、700nm以下的范围内。

4.根据权利要求1或2的任一项所述的半导体激光器，其特征在于，振荡波长在701nm以上、900nm以下的范围内。

5.根据权利要求1或2的任一项所述的半导体激光器，其特征在于，振荡波长在330nm以上、600nm以下的范围内。

6.一种半导体激光器，其特征在于，包含多个具有不同振荡波长的权利要求1所述的半导体激光器，将上述多个半导体激光器集成在一个芯片上。