[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910009254.9 | 申请日： | 2009-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101527316A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 长冈弘二郎 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：绝缘膜，其被设置在半导体基板上并具有沟槽图形；栅绝缘膜，其被设置为覆盖着所述沟槽图形的内壁；以及栅电极，其被形成为隔着所述栅绝缘膜而填充所述沟槽图形，并被形成为在所述绝缘膜上的所述沟槽图形的两侧突出至比所述沟槽图形更宽。根据本发明，隔着栅绝缘膜而填充沟槽图形的栅电极可覆盖并保护在该栅电极与沟槽图形的侧壁之间的边界部。因此，可以防止由于设置在边界部内的材料层的回缩而产生空隙等。结果，可以得到性能提高的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：绝缘膜，其被设置在半导体基板上并具有沟槽图形；栅绝缘膜，其被设置为覆盖着所述沟槽图形的内壁；以及栅电极，其被形成为隔着所述栅绝缘膜而填充所述沟槽图形，并被形成为在所述绝缘膜上的所述沟槽图形的两侧突出至比所述沟槽图形更宽。
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