[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

绝缘膜，其被设置在半导体基板上并具有沟槽图形；

栅绝缘膜，其被设置为覆盖着所述沟槽图形的内壁；以及

栅电极，由金属性材料制成，其被形成为隔着所述栅绝缘膜而填充 所述沟槽图形，并被形成为在所述绝缘膜上的所述沟槽图形的两侧突出 至比所述沟槽图形更宽。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括上层绝缘膜，其被设 置在所述绝缘膜上，覆盖着所述栅电极并具有到达所述栅电极的连接孔。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述连接孔的开口宽 度大于所述沟槽图形的开口宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述连接孔的开口宽 度小于所述绝缘膜上的所述栅电极的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜包括用于 构成所述沟槽图形的侧壁的侧壁绝缘层，并且所述栅电极被构造成覆盖 着所述侧壁绝缘层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅绝缘膜由金属 氧化物膜或金属氮化物膜形成。

7.一种半导体装置制造方法，其包括如下步骤：

在半导体基板上形成伪栅，并沉积覆盖着所述伪栅的绝缘膜；

在使所述伪栅从所述绝缘膜中暴露出来之后除去所述伪栅，从而在 所述绝缘膜中形成沟槽图形，所述沟槽图形具有让所述半导体基板暴露 出来的底部；

沉积电极材料膜，使其隔着栅绝缘膜而填充所述沟槽图形，所述电 极材料膜由金属性材料制成；以及

将所述电极材料膜图形化，使其呈在所述绝缘膜上的所述沟槽图形 的两侧突出至比所述沟槽图形更宽的形状，从而形成由所述电极材料膜 制成的栅电极。

8.根据权利要求7所述的半导体装置制造方法，其中，在完成所述 栅电极的形成步骤之后，形成覆盖着所述栅电极的上层绝缘膜，并在该 上层绝缘膜内形成到达所述栅电极的连接孔。