[发明专利]用于晶片粗对准的标记结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910007190.9 | 申请日： | 2009-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101515116A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 帕特里克·沃纳阿 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶片粗对准的标记结构及其制造方法。所述标记结构包括在衬底上的至少4条线。所述线沿第一方向彼此平行地延伸且在每对线之间设置有节距，所述节距沿垂直于第一方向的第二方向上被定向。在所选取的每对线之间的节距不同于在所选取的其它的每对线之间的节距。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 对准 标记 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上的标记结构，该标记结构包括数目为n的多条线，所述n至少等于4，所述线沿第一方向基本彼此平行地延伸且在从所述多条线中选取的每对线之间具有节距，所述节距沿基本上垂直于第一方向的第二方向上被定向，其中，在所选取的每对线之间的节距不同于在所选取的其它的每对线之间的节距。
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