[发明专利]用于晶片粗对准的标记结构及其制造方法

权利要求书

1.一种在衬底上的标记结构，该标记结构包括数目为n的多条线，所述n等于或大于4，所述线沿第一方向基本彼此平行地延伸且在从所述多条线中选取的每对相邻的线之间具有节距，所述节距沿基本上垂直于第一方向的第二方向上被定向， 

其中，在所选取的每对相邻的线之间的节距不同于在所选取的其它的每对相邻的线之间的节距， 

其中所述标记结构布置在所述衬底的划线中，所述划线围绕所述衬底的一个或更多个目标部分中的每一个目标部分，所述第一方向取向成沿着所述划线的纵向方向，且 

其中，所述多条线的第一子集位于衬底上的第一层中，和所述多条线的第二子集位于在第一层上方的第二层中。 

2.根据权利要求1所述的标记结构，其中，所述划线是目标部分之间的空间。 

3.根据权利要求1所述的标记结构，其中，所述多条线的第二子集具有至少一条线，所述至少一条线基本上与所述多条线的所述第一子集的对应的线重叠。 

4.根据权利要求1所述的标记结构，其中，对于在第二方向上相邻的所述多条线中的每对线，每对线中的一条线是在第一子集中且每对线中的另一条线是在第二子集中。 

5.根据权利要求1所述的标记结构，其中，所述标记结构被设置用于在光学对准期间产生光学干涉图案，其中，所述光学干涉图案显示了没有重叠的许多单个局部强度最小量。 

6.根据权利要求1所述的标记结构，其中，标记结构沿第二方向的宽度是大约60微米，标记结构中的线的数目是5且线宽是大约2微米。 

7.根据权利要求6所述的标记结构，其中，在第一对两条相邻线之间的第一节距是大约9微米，在第二对两条相邻线之间的第二节距是大约13微米，在第三对相邻的两条线之间的第三节距是大约17微米，以及在第四对相邻的两条线之间的第四节距是大约5微米。 

8.一种在半导体器件的制备过程中使用的衬底，该衬底包括根据权利要求1-7中任一项所述的标记结构。 

9.一种在衬底上制造半导体器件的方法，该方法包括： 

通过光刻过程在衬底上产生标记结构，所述标记结构包括数目为n的多条线，所述n等于或大于4，所述线沿第一方向基本上彼此平行地延伸且在每对相邻的线之间具有节距，所述每对相邻的线从所述多条线中选取，所述节距沿基本上垂直于第一方向的第二方向被定向， 

其中，在所选取的每对相邻的线之间的节距不同于在所选取的其它的每对相邻的线之间的节距， 

其中所述标记结构布置在所述衬底的划线中，所述划线围绕所述衬底的一个或更多个目标部分中的每一个目标部分，所述第一方向取向成沿着所述划线的纵向方向，且 

其中，所述多条线的第一子集位于衬底上的第一层中，和所述多条线的第二子集位于在第一层上方的第二层中。 

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述划线是目标部分之间的空间。 

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多条线的第二子集具有至少一条线，所述至少一条线基本上与所述多条线的第一子集中的对应的线重叠。 

12.根据权利要求9所述的方法，其中，对于在第二方向上相邻的所述多条线中的每对线，每对线中的一条线设置在第一子集中且每对线中的另一条线设置在第二子集中。 

13.根据权利要求9所述的方法，其中，进一步包括： 

提供自参考干涉计的照射束作为在衬底上的斑，用于照射标记结构。 

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在光学对准期间，照射标记结构产生光学干涉图案，其中，所述光学干涉图案显示没有重叠的许多单个局部强度最小量。