[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明提供即使阈值电压为负电位也实现正电位时同样的测试方法的特性评价的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置具有存储数据的多个存储单元，通过测试信号的输入，进行从正常模式过渡到进行存储单元的特性评价的测试模式，其中包括：选择存储单元的存储单元选择部；发生基准电压的恒压部；发生基准电流的恒流部；将X选择信号或从外部端子输入的电压信号中的任一个供给存储单元的栅极的Y开关电压切换控制电路；向通过Y选择信号来选择的存储单元的漏极供给参考电流的Y开关部；检测漏极的电压即漏极电压是否超过基准电压的比较器；以及在测试模式下，通过控制信号来调整基准电流的电流值以及基准电压的电压值，并变更比较器的判定电平的判定电平变更部。

主权项

1. 一种半导体存储装置，具有存储数据的多个存储单元，通过输入测试信号来从通常的写入及读出数据的正常模式过渡到进行存储单元的特性评价的测试模式，其中包括：存储单元选择部，用于输出响应外部地址而选择所述存储单元的X选择信号及Y选择信号；恒压部，用于产生参考电压；恒流部，用于产生参考电流；X开关电压切换控制电路，用于将所述X选择信号或从外部端子输入的电压信号中的任一信号供给所述存储单元的栅极；Y开关部，用于向通过所述Y选择信号来选择的所述存储单元的漏极供给该参考电流；比较器，检测所述漏极的电压即漏极电压是否超过所述参考电压：以及判定电平变更部，在所述测试模式下，通过输入的控制信号，来调整所述参考电流的电流值和所述参考电压的电压值中的任一方或双方，变更比较器的判定电平。