[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有存储数据的多个存储单元，通过 输入测试信号来从通常的写入及读出数据的正常模式过渡到进行存 储单元的特性评价的测试模式，其中包括：

存储单元选择部，用于输出响应外部地址而选择所述存储单元的 X选择信号及Y选择信号；

恒压部，用于产生参考电压；

恒流部，用于产生参考电流；

X开关电压切换控制电路，用于将所述X选择信号或从外部端 子输入的电压信号中的任一信号供给所述存储单元的栅极；

Y开关部，用于向通过所述Y选择信号来选择的所述存储单元 的漏极供给该参考电流；

比较器，检测所述漏极的电压即漏极电压是否超过所述参考电 压；以及

判定电平变更部，在所述测试模式下，通过输入的控制信号，来 调整所述参考电流的电流值和所述参考电压的电压值中的任一方或 双方，变更比较器的判定电平。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：在所述 测试模式时，所述X开关电压切换控制电路使从所述外部端子输入 的电压信号的电压值可变，通过比较器的输出的逻辑电平变化，进行 存储单元的阈值电压的测定。

3.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：在 所述测试模式时，所述判定电平变更部通过从外部输入的控制信号来 控制所述参考电流的电流值。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述判定电平变更部，由包含形成基准电流的晶体管、在正常模 式下供给参考电流的晶体管以及在测试模式下调整参考电流的、并联 连接的多个调整晶体管而成的多输出型电流反射镜电路构成，

所述调整晶体管各自与开关晶体管串联连接，通过所述开关晶体 管的导通/截止来控制在测试模式时相对于正常模式下的参考电流在 所述参考电流上叠加的所述调整晶体管的电流值的组合。

5.如权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述判定电平变更部由反射镜电路构成，

在测试模式下，控制流过构成反射镜的晶体管的电流值时，通过 从外部输入的控制信号来控制流过该构成反射镜的晶体管的电流值， 并控制所述参考电流。

6.如权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：所 述判定电平变更部一旦被输入所述测试信号，就通过从外部输入的控 制信号来控制所述参考电压。

7.如权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述判定电平变更部设有第一MOS晶体管和第二MOS晶体管 在电源与接地点之间串联连接而构成的电源电路，

在测试模式下，通过从外部输入的控制信号来调整流过上级的第 一MOS晶体管的电流，并输出在与下级的第二MOS晶体管的连接 点上生成的电压作为参考电压。