[发明专利]沉积多晶硅的方法有效
| 申请号： | 200910001882.2 | 申请日： | 2009-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101487139A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | K·黑塞;F·施赖德尔 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/14;C01B33/035 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备多晶硅的方法，其中将包含氢气和含硅气体的反应气体引入到反应室中，所述含硅气体在加热的硅上进行热分解并沉积在硅上形成尾气，该尾气被分离为第一尾气馏分和第二尾气馏分，所述第一尾气馏分包含三氯硅烷和沸点低于三氯硅烷的氯硅烷，而第二尾气馏分包含沸点高于三氯硅烷的成分，将所述第一尾气馏分供应到沉积多晶硅的反应气体中，而将所述第二尾气馏分分离为四氯硅烷和包含高沸点化合物、并含有或不含有四氯硅烷的高沸点化合物馏分，所述方法包括将所述高沸点化合物馏分供应到沉积硅的反应气体中并将反应气体加热到确保该高沸点化合物馏分在进入沉积反应器的反应室时呈气态的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 多晶 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制备多晶硅的方法，其中将包含氢气和含硅气体的反应气体引入到反应室中，所述含硅气体在加热的硅上进行热分解并沉积在硅上形成尾气，该尾气被分离为第一尾气馏分和第二尾气馏分，所述第一尾气馏分包含三氯硅烷和沸点低于三氯硅烷的氯硅烷，而第二尾气馏分包含沸点高于三氯硅烷的成分，将所述第一尾气馏分供应到沉积多晶硅的反应气体中，而将所述第二尾气馏分分离为四氯硅烷和包含高沸点化合物、并含有或不含有四氯硅烷的高沸点化合物馏分，所述方法包括将所述高沸点化合物馏分供应到沉积硅的反应气体中并将该反应气体加热到确保该高沸点化合物馏分在进入沉积反应器的反应室时呈气态的温度。
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