[发明专利]沉积多晶硅的方法

权利要求书

1.一种制备多晶硅的方法，其中将包含氢气和含硅气体的反应气体引 入到反应室中，所述含硅气体在加热的硅上进行热分解并沉积在硅上形成 尾气，该尾气被分离为第一尾气馏分和第二尾气馏分，所述第一尾气馏分 包含三氯硅烷和沸点低于三氯硅烷的氯硅烷，而第二尾气馏分包含沸点高 于三氯硅烷的成分，将所述第一尾气馏分供应到沉积多晶硅的反应气体中， 而将所述第二尾气馏分分离为四氯硅烷和包含高沸点化合物、并含有或不 含有四氯硅烷的高沸点化合物馏分，所述高沸点化合物为包含硅和氯并含 有或不含有氢、氧和碳的、具有比四氯硅烷更高的沸点的化合物，所述方 法包括将所述高沸点化合物馏分供应到沉积硅的反应气体中并将该反应气 体加热到确保该高沸点化合物馏分在进入沉积反应器的反应室时呈气态的 温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在被供应到反应气体中之前，将 所述高沸点化合物馏分加热到其呈气态的温度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述反应室是西门子反应器 的反应室或者流化床反应器的反应室。

4.根据权利要求1所述的方法，其中将具有高水平的高沸点化合物的 高沸点化合物沉积冷凝物，即通常在该沉积尾气冷凝物中高沸点化合物＞0.3 重量％，提供到具有较低水平的高沸点化合物的沉积反应气体中，即在沉积 尾气冷凝物中高沸点化合物水平通常＜0.3重量％。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在沉积尾气冷凝物中所述高沸点 化合物水平＜0.1重量％。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在含高沸点化合物的反应气体转 化过程中，在西门子反应器中用于利用高沸点化合物的硅棒具有优选 900-1413℃的温度。

7.根据权利要求6的方法，其中所述硅棒具有1100-1413℃的温度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在含高沸点化合物的反应气体转 化过程中，在流化床反应器中用于利用高沸点化合物的颗粒具有 800-1400℃的温度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述含高沸点化合物的反应气 体在1-8巴的绝对压力下加热到300-590℃的温度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中将多个沉积设备的尾气彼此混 合，并将来自尾气的高沸点化合物馏分提供到一个或多个西门子反应器或 一个或多个流化床反应器的反应气体中。

11.根据权利要求1所述的方法，其中将来自西门子反应器尾气的高沸 点化合物馏分提供到基于三氯硅烷的流化床多晶硅沉积的反应气体中。

12.根据权利要求1所述的方法，其中可将来自所述尾气的高沸点化合 物以多达5重量％的量加入到所述反应气体中。

13.一种包含氢气和氯硅烷组合物的反应气体在西门子反应器或流化 床反应器中用于制备多晶硅的用途，其中所述氯硅烷组合物包括0-10重量 ％的二氯硅烷、90-99.9重量％的三氯硅烷、0-5重量％的四氯硅烷、0.01-5 重量％的高沸点化合物，所述高沸点化合物为包含硅和氯并含有或不含有 氢、氧和碳的、具有比四氯硅烷更高的沸点的化合物。