[发明专利]包括汽化器的半导体处理系统及其使用方法

摘要

本发明提供一种包括半导体处理装置和对所述半导体处理装置供给处理气体的气体供给装置的半导体处理系统，其包括控制用于调整汽化室内的压力的压力调整机构的动作的控制部。控制部按照以下方式预先设定，即根据压力检测部的压力检测值将汽化室内的压力收敛在规定的压力范围内。规定的压力范围由上限值和下限值规定，所述上限值设定为比由于压力的上升而阻碍液体原料的汽化的第一界限值低，所述下限值设定为比由于压力的下降而液体原料的汽化变得不稳定汽化室内的压力开始脉动的第二界限值高。

主权项

1. 一种半导体处理系统，其包括半导体处理装置和对所述半导体处理装置供给处理气体的气体供给装置，其特征在于：所述半导体处理装置包括：收纳被处理基板的处理室；在所述处理室内支撑所述被处理基板的支撑部件；加热所述处理室内的所述被处理基板的加热器；和对所述处理室内进行排气的排气系统，所述气体供给装置包括：形成用于汽化液体原料的汽化室的容器；通过运载气体将所述液体原料雾化并供给到所述汽化室内的喷嘴；对所述喷嘴供给所述液体原料的液体原料供给通路；对所述喷嘴供给所述运载气体的运载气体供给通路；为了将所述被雾化的液体原料汽化生成所述处理气体，对所述汽化室内加热的加热器，用于将所述处理气体从所述汽化室内供给到所述处理室的气体供给通路；用于检测所述汽化室内的压力的压力检测部；用于调整所述汽化室内的压力的压力调整机构；和控制所述压力调整机构的动作的控制部，其中，所述控制部按照以下方式预先设定，即根据所述压力检测部的压力检测值控制所述压力调整机构的动作，使所述汽化室内的压力收敛在规定的压力范围内；所述规定的压力范围由上限值和下限值规定，所述上限值设定为比由于所述压力的上升而阻碍所述液体原料的汽化的第一界限值低，所述下限值设定为比由于所述压力的下降而所述液体原料的汽化变得不稳定从而所述汽化室内的压力开始脉动的第二界限值高。