[发明专利]包括汽化器的半导体处理系统及其使用方法

权利要求书

1.一种半导体处理系统，其包括半导体处理装置和对所述半导体 处理装置供给处理气体的气体供给装置，其特征在于：

所述半导体处理装置包括：

收纳被处理基板的处理室；

在所述处理室内支撑所述被处理基板的支撑部件；

加热所述处理室内的所述被处理基板的加热器；和

对所述处理室内进行排气的排气系统，

所述气体供给装置包括：

形成用于汽化液体原料的汽化室的容器；

通过运载气体将所述液体原料雾化并供给到所述汽化室内的喷 嘴；

对所述喷嘴供给所述液体原料的液体原料供给通路；

对所述喷嘴供给所述运载气体的运载气体供给通路；

为了将被雾化的所述液体原料汽化生成所述处理气体，对所述汽 化室内加热的加热器，

用于将所述处理气体从所述汽化室内供给到所述处理室的气体供 给通路；

用于检测所述汽化室内的压力的压力检测部；

用于调整所述汽化室内的压力的压力调整机构；和

控制所述压力调整机构的动作的控制部，其中，所述控制部按照 以下方式预先设定，即根据所述压力检测部的压力检测值控制所述压 力调整机构的动作，使所述汽化室内的压力收敛在规定的压力范围内； 所述规定的压力范围由上限值和下限值规定，所述上限值设定为比由 于所述压力的上升而阻碍所述液体原料的汽化的第一界限值低，所述 下限值设定为比由于所述压力的下降而所述液体原料的汽化变得不稳 定从而所述汽化室内的压力开始脉动的第二界限值高。

2.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于：

所述下限值比由于所述压力的下降在所述喷嘴的前端部内所述液 体原料的溶剂开始沸腾的压力的界限值高。

3.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于；

所述下限值设定为所述上限值的40％～60％。

4.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于：

所述压力调整机构具备配设在所述气体供给通路上的用于调整所 述处理气体的流量的流量调整部，所述控制部基于所述压力检测值控 制所述流量调整部的动作。

5.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于：

所述气体供给装置还具备与所述液体原料供给通路连接的对所述 液体原料中添加溶剂的溶剂供给通路，所述压力调整机构具备配设于 所述溶剂供给通路上的用于调整所述溶剂的流量的流量调整部，所述 控制部基于所述压力检测值控制所述流量调整部的动作。

6.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于：

所述压力调整机构具备配设在所述运载气体供给通路上的用于调 整所述运载气体的流量的流量调整部，所述控制部基于所述压力检测 值控制所述流量调整部的动作。

7.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于：

所述气体供给装置按照以下方式构成：作为所述液体原料使用将 固体材料溶解在溶剂中的材料。

8.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于：

所述半导体处理装置按照在所述被处理基板上形成薄膜的方式构 成，所述气体供给装置按照以下方式构成：将提供所述薄膜的成分的 气体作为所述处理气体加以供给。

9.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于：

所述喷嘴具有由内管和外管构成的双重管结构，从所述内管供给 所述液体原料，从所述外管供给所述运载气体。