[发明专利]基板处理装置用的部件以及皮膜形成方法有效
| 申请号： | 200910000286.2 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101510501A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 三桥康至 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C25D11/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置用的部件和皮膜形成方法，能够可靠地防止因防蚀铝皮膜的破损而引起的颗粒的产生。作为对晶片(W)实施等离子体处理的基板处理装置(10)的部件的冷却板(36)包括：以在铝中含有硅的合金为主要成分的铝基材(56)；和通过使冷却板(36)与电源的阳极连接并且在以草酸为主要成分的溶液中进行浸渍的阳极氧化处理而在铝基材(56)的表面形成的防蚀铝皮膜(57)，该防蚀铝皮膜(57)含浸有硅酸乙酯。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 部件 以及 皮膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种基板处理装置用的部件，其特征在于：该基板处理装置用的部件用于对基板实施等离子体处理，其包括：以在铝中含有硅的合金为主要成分的基材；和通过使所述部件与电源的阳极连接并且在以有机酸为主要成分的溶液中进行浸渍的阳极氧化处理而在所述基材的表面形成的皮膜，所述皮膜含浸有硅酸乙酯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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