[发明专利]基板处理装置用的部件以及皮膜形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置用的部件以及皮膜形成方法，特别涉及对基板实施等离子体处理的基板处理装置用的部件以及皮膜形成方法。 

背景技术

对于对作为基板的晶片实施规定处理的基板处理装置，公知有实施CVD、PVD等成膜处理的成膜装置、利用等离子体进行蚀刻的蚀刻装置。近年来，该基板处理装置随着晶片口径的大型化而大型化，所以，该装置重量的增加便成为问题。因此，多使用轻量的铝部件来作为基板处理装置的构成部件用的部件。 

通常，因为铝部件相对于在基板处理装置中实施规定处理所使用腐蚀性气体、等离子体的耐腐蚀性低，所以，在由该铝部件构成的构成部件，例如冷却板的表面形成具有耐腐蚀性的防蚀铝(alumite)皮膜(经过铝阳极氧化处理的皮膜)(例如，参照专利文献1)。此外，形成的防蚀铝皮膜具有孔(pore)(空隙)，通常实施封闭该孔的封孔处理。 

然而，近阶段对晶片实施以HARC(High Aspect Ratio Contact(高纵横比接触))处理等为代表的高功率的等离子体处理。在高功率的等离子体处理中，冷却板的温度上升，而一般被实施封孔处理的防蚀铝皮膜其耐热性低，因此，在这种等离子体处理中，冷却板的防蚀铝皮膜有可能产生破损，例如产生裂纹，导致防蚀铝皮膜的一部分剥落，从而产生颗粒。作为消除该问题的防蚀铝皮膜的形成方法，本发明人得知通过对防蚀铝皮膜实施半封孔处理而能够提高防蚀铝皮膜的耐热性(例如，参照专利文献2)。 

专利文献1：日本特开2007-204831号公报 

专利文献2：日本特开2006-265149号说明书 

但是，对近年来进一步的高功率的等离子体处理进行研究，即便 利用上述的防蚀铝皮膜的形成方法形成防蚀铝皮膜，防蚀铝皮膜的耐热性也不充分，该防蚀铝皮膜有可能破损而产生颗粒。 

此外，有必要用于配置向形成有防蚀铝皮膜的冷却板供给高频电力的电路的加工，但是，因在该加工中使用的切削油、烃类清洗液等浸透在防蚀铝皮膜中，而导致促进该防蚀铝皮膜的水合封孔。若促进该水合封孔，则导致防蚀铝皮膜的耐热性降低，所以该防蚀铝皮膜有可能破损而产生颗粒。 

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种基板处理装置用的部件和皮膜形成方法，能够可靠地防止因防蚀铝(alumite)皮膜的破损而引起的颗粒的产生。 

为了实现上述目的，本发明的第一方面提供一种基板处理装置用的部件，其特征在于：该基板处理装置用的部件用于对基板实施等离子体处理，包括：以在铝中含有硅的合金为主要成分的基材；和通过使所述部件与电源的阳极连接并且在以有机酸为主要成分的溶液中进行浸渍的阳极氧化处理而在所述基材的表面形成的皮膜，所述皮膜含浸有硅酸乙酯(ethyl silicate)。 

为了实现上述目的，本发明的第二方面提供一种基板处理装置用的部件，其特征在于：该基板处理装置用的部件用于对基板实施等离子体处理，包括：以在铝中含有硅的合金为主要成分的基材；和配置在所述基材的表面，具有以所述硅作为核呈放射状配向的氧化物结晶柱，并且含浸有硅酸乙酯的皮膜。 

本发明的第三方面的基板处理装置用的部件，其特征在于：在第一或者第二方面的基板处理装置用的部件中，所述皮膜没有被实施封孔处理。 

本发明的第四方面的基板处理装置用的部件，其特征在于：在第一～第三方面中任一方面所述的基板处理装置用的部件中，所述合金的所述硅的含有质量％为0.4以上并且0.8以下。 

本发明的第五方面的基板处理装置用的部件，其特征在于：在第一～第三方面中任一方面所述的基板处理装置用的部件中，所述合金 为JIS规格的A6061合金。 

本发明的第六方面的基板处理装置用的部件，其特征在于：在第一～第五方面中任一方面所述的基板处理装置用的部件中，所述基板处理装置用的部件为上部电极体。 

本发明的第七方面的基板处理装置用的部件，其特征在于：在第一～第五方面中任一方面所述的基板处理装置用的部件中，所述基板处理装置用的部件为圆板状的冷却板，该冷却板具有多个贯通孔。 

为了实现上述目的，本发明的第八方面提供一种皮膜形成方法，其特征在于：该皮膜形成方法是对基板实施等离子体处理的基板处理装置用的部件的皮膜形成方法，包括：阳极氧化步骤，使具有以在铝中含有硅的合金为主要成分的基板的所述部件与电源的阳极连接并且浸渍在以有机酸为主要成分的溶液中；和含浸步骤，通过所述浸渍使在所述基材的表面形成的皮膜含浸有硅酸乙酯。