[发明专利]在Sn膜中晶须的减少无效
| 申请号： | 200880130797.X | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102132638A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | J·W·欧森巴赫 | 申请（专利权）人： | 艾格瑞系统有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/24 | 分类号： | H05K3/24;H01L23/495 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 党建华 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子装置，包括具有表面的金属导电引线。在表面上的焊前涂层主要包括锡和从Al或稀土元素中选择的一种或多种掺杂物。 | ||
| 搜索关键词： | sn 膜中晶须 减少 | ||
【主权项】：
一种电子装置，包括：具有表面的金属导电引线；和在所述表面上的焊前涂层，焊前涂层主要包括锡和从Al或稀土元素中选择的一种或多种掺杂物。
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