[发明专利]在Sn膜中晶须的减少

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

具有表面的金属导电引线；和

在所述表面上的焊前涂层，焊前涂层主要包括锡和从Al或稀土元素中选择的一种或多种掺杂物。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述焊前涂层主要包括锡和仅一种所述掺杂物。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，导电引线是引线框的一部分。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述稀土掺杂物从包括Gd、Yb、Eu、Nd及Ce的组合中选择。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述掺杂物是稀土元素，并且所述掺杂物在所述焊前涂层中的浓度的范围从约0.1wt.％至约7wt.％。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述浓度范围从约1.5wt.％至约3.5wt.％。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述掺杂物是Al，并且所述掺杂物在所述焊前涂层中的浓度的范围从约0.1wt.％至约4wt.％。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其中，所述浓度范围从1wt.％至约2wt.％。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述焊前涂层的厚度具有范围从约0.1μm至约50μm的厚度。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述导电引线从包括如下的组中选择：

印刷电路互连件；

连接器；

装置组件引线；及

导线。

11.根据权利要求1所述的电子装置，还包括装置组件、或散热器，所述装置组件或散热器包括所述焊前涂层。

12.一种在电引线上形成焊前涂层的方法，包括：

提供具有表面的金属导电引线；

在所述表面上形成锡层，所述锡层包括由晶粒边界区域分离的晶粒；及

使用从Al或稀土元素中选择的一种或多种掺杂物的平均浓度掺杂所述锡层，使得所述一种或多种掺杂物在所述晶粒边界区域中具有比所述平均值显著大的浓度。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述焊前涂层包括Al和稀土元素中的至少两种。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述掺杂物是Al，该Al在所述焊前涂层中具有范围从约0.1wt.％至约4wt.％的浓度。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述掺杂物是Al，该Al在所述焊前涂层中具有范围从约1wt.％至约2wt.％的浓度。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述掺杂物从包括Gd、Yb、Eu、Nd及Ce的组合中选择。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述掺杂物是稀土元素，该稀土元素在所述焊前涂层中具有范围从约0.1wt.％至约7wt.％的浓度。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述掺杂物在所述焊前涂层中具有范围从约1.5wt.％至约3.5wt.％的浓度。

19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述焊前涂层具有范围从约0.1μm至约50μm的厚度。

20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述金属导电引线是引线框。

21.根据权利要求11所述的方法，其中，所述锡层在所述掺杂之前形成。

22.根据权利要求11所述的方法，其中，所述掺杂物经所述晶粒边界扩散到所述锡层中。