[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200880129157.7 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102067334A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 吴志原 | 申请（专利权）人： | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光器件。该半导体发光器件包括：位于第一电极与第二电极之间的多个开口，所述多个开口限定了用于抑制第一电极与第二电极之间的电流流动的第一开口区域和相比第一开口区域更少地抑制电流流动的第二开口区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层，这些半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，和位于第一半导体层与第二半导体层之间以通过电子和空穴的重组来产生光的有源层；与通过去除所述有源层而露出的第一半导体层电接触的第一电极；与第二半导体层电接触的第二电极；和位于第一电极与第二电极之间的多个开口，所述多个开口限定了用于抑制第一电极与第二电极之间的电流流动的第一开口区域和相比第一开口区域更少地抑制电流流动的第二开口区域。
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