[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：

多个半导体层，这些半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，和位于第一半导体层与第二半导体层之间以通过电子和空穴的重组来产生光的有源层；

与通过去除所述有源层而露出的第一半导体层电接触的第一电极；

与第二半导体层电接触的第二电极；和

位于第一电极与第二电极之间的多个开口，所述多个开口限定了用于抑制第一电极与第二电极之间的电流流动的第一开口区域和相比第一开口区域更少地抑制电流流动的第二开口区域。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，该半导体发光器件包括位于所述第二半导体层与所述第二电极之间的第三电极，所述多个开口形成在该第三电极中。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多个开口延伸到所述多个半导体层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一开口区域的开口的密度高于所述第二开口区域的开口的密度。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一开口区域的开口的尺寸大于所述第二开口区域的开口的尺寸。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一开口区域的面对电流流动的开口的长度大于所述第二开口区域的面对电流流动的开口的长度。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一开口区域和所述第二开口区域在开口的密度、开口的尺寸和面对电流流动的开口的长度中的至少一个方面是不同的。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，该半导体发光器件包括位于所述第二半导体层与所述第二电极之间的第三电极，其中，所述多个开口被形成为穿过至少该第三电极。

9.根据权利要求7所述的半导体发光器件，该半导体发光器件包括：

从所述第一电极延伸的第一分支电极；和

从所述第二电极延伸的第二分支电极，该第二分支电极与所述第一分支电极交替地定位，以限定第一区域和第二区域，

其中，所述第一开口区域位于所述第一区域中，而且所述第二开口区域位于所述第二区域中。

10.根据权利要求8所述的半导体发光器件，该半导体发光器件是第三族氮化物半导体发光器件。