[发明专利]等离子体CVD用阴电极和等离子体CVD装置

摘要

在通过施加高频而形成高频电容耦合型等离子体的等离子体CVD用阴电极的结构中，该阴电极与阳电极对向配置，同时与阳电极对向的对向面构成为凹凸形状，该凹凸形状通过由底面构成的凹部和由从该凹部的底面向阳电极侧突出的多个突出部形成的凸部构成。凸部的至少任意一个的突出部在侧面至少具有一个能够喷出反应气体的反应气体喷孔，该反应气体喷孔的反应气体喷出方向与凹部底面大致平行。通过使阴电极最优化而产生高密度的等离子体。

主权项

一种等离子体CVD用阴电极，其是通过施加高频而形成高频电容耦合型等离子体的电极，其特征在于，该阴电极与阳电极对向配置，该阴电极与阳电极对向的对向面具有凹凸形状，该凹凸形状通过由底面形成的凹部和由从该凹部的底面向阳电极侧突出的多个突出部形成的凸部构成，所述凸部的至少任意一个突出部在侧面具有至少一个能够喷出反应气体的反应气体喷孔，所述反应气体喷孔的反应气体喷出方向与凹部底面大致平行。