[发明专利]等离子体CVD用阴电极和等离子体CVD装置

权利要求书

1.一种等离子体CVD用阴电极，其是通过施加高频而形成高频电容耦合型等离子体的电极，其特征在于，

该阴电极与阳电极对向配置，

该阴电极与阳电极对向的对向面具有凹凸形状，该凹凸形状通过由底面形成的凹部和由从该凹部的底面向阳电极侧突出的多个突出部形成的凸部构成，

所述凸部的至少任意一个突出部在侧面具有至少一个能够喷出反应气体的反应气体喷孔，

所述反应气体喷孔的反应气体喷出方向与凹部底面大致平行。

2.根据权利要求1所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，

所述阴电极的突出部在突出部的内部具有用于将反应气体提供给反应气体喷孔的反应气体通路，

所述反应气体通路由沿突出部的轴向设置的第一通路、和设置在与底面大致平行的方向上的从所述第一通路分枝而连接到所述反应气体喷孔的第二通路构成。

3.根据权利要求1所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极的突出部的邻接间隔在0.5mm～7mm的范围内。

4.根据权利要求1所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极的突出部具有的反应气体喷孔的孔径在0.1mm～1.0mm的范围内。

5.根据权利要求1所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极的突出部距底面的高度在3mm～15mm的范围内。

6.根据权利要求1所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极的底部和突出部的侧面是微细的凹凸面。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极的突出部在凹部的底面上以正方形的四个顶点的位置和由四个顶点包围的中心的位置构成的正方形最密排列进行排列。

8.根据权利要求1至6中任意一项所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极的突出部在凹部的底面上以正六边形的六个顶点的位置和由六个顶点包围的中心的位置构成的六边形最密排列进行排列。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极的突出部在凹部的底面上以规定的分布配置有形成有所述反应气体喷孔的突出部和未形成有所述反应气体喷孔的突出部。

10.根据权利要求9所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，在所述阴电极的突出部中，形成有所述反应气体喷孔的突出部和未形成有所述反应气体喷孔的突出部的比例为1∶4，

在凹部的底面上，所述阴电极的突出部以正六边形的六个顶点的位置和由六个顶点包围的中心的位置构成的六边形最密排列进行排列。

11.根据权利要求1至10中任意一项所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极的突出部是水平截面为圆形的圆筒状。

12.根据权利要求1至10中任意一项所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极的突出部是水平截面为多边形的多棱柱状。

13.根据权利要求1至8中任意一项所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极的突出部至少具有一个所述反应气体喷孔。

14.根据权利要求1至13中任意一项所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极具有将所述突出部包围在内侧的外周壁，

所述外周壁的壁面高度与突出部的高度大致相等。

15.根据权利要求1至14中任意一项所述的等离子体CVD用阴电极，其特征在于，所述阴电极通过将构成突出部的支柱嵌入在构成底面的阴极基板上设置的开口部中而形成。