[发明专利]场致发射显示器无效
| 申请号: | 200880124564.9 | 申请日: | 2008-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN101952929A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
| 发明(设计)人: | Q·胡;L·科米特夫 | 申请(专利权)人: | 光实验室瑞典股份公司 |
| 主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02;H01J1/304 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
| 地址: | 瑞典萨尔*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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| 摘要: | 本发明涉及一种制作场致发射显示器(300)的方法,该方法包括将电子发射接收器(302)排列在真空箱中,在电子发射接收器的附近排列波长转化材料(304),和在真空箱中排列电子发射源(100),电子发射源适用于向电子发射接收器发射电子,其中电子发射源是通过以下步骤形成的:提供基底,在基底上形成多个ZnO-纳米结构,其中每个ZnO-纳米结构具有第一端和第二端,第一端与基底连接,排列电绝缘体使ZnO-纳米结构相互电绝缘,将电传导部件与ZnO-纳米结构选择的第二端连接,将支撑结构排列在电传导部件上,并去除基底,由此暴露ZnO-纳米结构的第一端。本发明的优势包括例如增加场致发射显示器的寿命,因为存在更小部分的高度不齐的纳米结构。而且,由于未因为纳米结构高度不齐而使用昂贵的腐蚀、磨光、或相似的方法步骤,从而可以获得更便宜的终产品。本发明还涉及相应的场致发射显示器。 | ||
| 搜索关键词: | 发射 显示器 | ||
【主权项】:
一种制作场致发射显示器的方法,该方法包括以下步骤:‑将电子发射接收器排列在真空箱中;‑在所述电子发射接收器的附近排列波长转化材料;和‑在所述真空箱中排列电子发射源,所述电子发射源适用于向电子发射接收器发射电子,其中,所述电子发射源是通过以下步骤形成的:‑提供基底;‑在所述基底上形成多个ZnO‑纳米结构,其中,每个所述ZnO‑纳米结构具有第一端和第二端,所述第一端与基底连接;‑排列电绝缘体,以使所述ZnO‑纳米结构相互电绝缘;‑将电传导部件与选择的ZnO‑纳米结构的第二端连接;‑将支撑结构排列在电传导部件上;和‑去除基底,由此暴露ZnO‑纳米结构的第一端。
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