[发明专利]场致发射显示器无效

专利信息
申请号: 200880124564.9 申请日: 2008-12-18
公开(公告)号: CN101952929A 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: Q·胡;L·科米特夫 申请(专利权)人: 光实验室瑞典股份公司
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02;H01J1/304
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 周建秋;王凤桐
地址: 瑞典萨尔*** 国省代码: 瑞典;SE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种制作场致发射显示器(300)的方法,该方法包括将电子发射接收器(302)排列在真空箱中,在电子发射接收器的附近排列波长转化材料(304),和在真空箱中排列电子发射源(100),电子发射源适用于向电子发射接收器发射电子,其中电子发射源是通过以下步骤形成的:提供基底,在基底上形成多个ZnO-纳米结构,其中每个ZnO-纳米结构具有第一端和第二端,第一端与基底连接,排列电绝缘体使ZnO-纳米结构相互电绝缘,将电传导部件与ZnO-纳米结构选择的第二端连接,将支撑结构排列在电传导部件上,并去除基底,由此暴露ZnO-纳米结构的第一端。本发明的优势包括例如增加场致发射显示器的寿命,因为存在更小部分的高度不齐的纳米结构。而且,由于未因为纳米结构高度不齐而使用昂贵的腐蚀、磨光、或相似的方法步骤,从而可以获得更便宜的终产品。本发明还涉及相应的场致发射显示器。
搜索关键词: 发射 显示器
【主权项】:
一种制作场致发射显示器的方法,该方法包括以下步骤:‑将电子发射接收器排列在真空箱中;‑在所述电子发射接收器的附近排列波长转化材料;和‑在所述真空箱中排列电子发射源,所述电子发射源适用于向电子发射接收器发射电子,其中,所述电子发射源是通过以下步骤形成的:‑提供基底;‑在所述基底上形成多个ZnO‑纳米结构,其中,每个所述ZnO‑纳米结构具有第一端和第二端,所述第一端与基底连接;‑排列电绝缘体,以使所述ZnO‑纳米结构相互电绝缘;‑将电传导部件与选择的ZnO‑纳米结构的第二端连接;‑将支撑结构排列在电传导部件上;和‑去除基底,由此暴露ZnO‑纳米结构的第一端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光实验室瑞典股份公司,未经光实验室瑞典股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880124564.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top