[发明专利]场致发射显示器

权利要求书

1.一种制作场致发射显示器的方法，该方法包括以下步骤：

-将电子发射接收器排列在真空箱中；

-在所述电子发射接收器的附近排列波长转化材料；和

-在所述真空箱中排列电子发射源，所述电子发射源适用于向电子发射接收器发射电子，其中，所述电子发射源是通过以下步骤形成的：

-提供基底；

-在所述基底上形成多个ZnO-纳米结构，其中，每个所述ZnO-纳米结构具有第一端和第二端，所述第一端与基底连接；

-排列电绝缘体，以使所述ZnO-纳米结构相互电绝缘；

-将电传导部件与选择的ZnO-纳米结构的第二端连接；

-将支撑结构排列在电传导部件上；和

-去除基底，由此暴露ZnO-纳米结构的第一端。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成多个纳米结构的步骤包括在基底上排列多个金属粒子或金属氧化物粒子，并允许所述多个金属粒子或金属氧化物粒子生长形成纳米结构。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，提供电连接部件的步骤包括提供多个电连接部件，每个电连接部件与不同选择的纳米结构连接。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述多个电连接部件是单独可设定位址的。

5.根据前述权利要求中的任意一项所述的方法，其中，所述基底基本是平的。

6.根据前述权利要求中的任意一项所述的方法，其中，所述电绝缘体选自包括绝缘体、半绝缘体、或不良绝缘体的组。

7.根据前述权利要求中的任意一项所述的方法，其中，所述方法还包括蚀刻纳米结构的暴露的第一端的步骤。

8.一种场致发射显示器，该场致发射显示器包括：

-电子发射接收器；

-排列在所述电子发射接收器的附近的波长转化材料，和

-电子发射源，该电子发射源包括：

-具有第一端和第二端的多个ZnO-纳米结构；

-排列成使ZnO-纳米结构相互电绝缘的电绝缘体；

-与选择的ZnO-纳米结构的第二端连接的电传导部件；和

-排列在电传导部件上的支撑结构，其中，所述ZnO-纳米结构的第一端是允许ZnO-纳米结构从充分定义的表面生长的一端，并且所述ZnO-纳米结构的第一端是暴露的。

9.根据权利要求8所述的场致发射显示器，其中，所述场致发射显示器包括多个电连接部件，每个电连接部件与不同选择的纳米结构连接。

10.根据权利要求9所述的场致发射显示器，其中，所述多个电连接部件是单独可设定位址的。

11.根据权利要求10所述的场致发射显示器，其中，所述场致发射显示器还包括用于控制场致发射电极的不同部分的控制逻辑。

12.根据权利要求8-11中任意一项所述的电子发射源，所述电子发射源排列在压电排列，例如纳米发生器中。