[发明专利]硅基硬掩模组合物(Si-SOH;Si基旋涂硬掩模)以及使用该组合物制造半导体集成电路器件的方法有效

专利信息
申请号: 200880124489.6 申请日: 2008-12-31
公开(公告)号: CN101910947A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 金相均;赵显模;高尚兰;金美英;尹熙灿;丁龙辰;金钟涉 申请(专利权)人: 第一毛织株式会社
主分类号: G03F7/11 分类号: G03F7/11
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 李丙林;张英
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种硅基硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(a)有机硅烷聚合物及(b)溶剂。该有机硅烷聚合物以式1表示:{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f(1)。在式1中,x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5-Y-SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例,且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z=1;e及f分别表示键结至硅(Si)原子的末端-OH基数目及末端-OR基数目对聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比,且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25;X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6-C30官能基;R3为C1-C6烷基;Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1-C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1-C20亚烷基及含有至少一个多重键的C2-C20烃基所组成的组中的连接基;及R6为C1-C6烷基。
搜索关键词: 硅基硬掩 模组 si soh 基旋涂硬掩模 以及 使用 组合 制造 半导体 集成电路 器件 方法
【主权项】:
一种硅基硬掩模组合物,包含(a)式1表示的有机硅烷聚合物:{(SiO1.5 Y SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f (1)其中x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5 Y SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例,且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z=1;e及f分别表示键接至硅(Si)原子的末端 OH基数目及末端 OR基数目对所述聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比,且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25;X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6 C30官能基;R3为C1 C6烷基;Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1 C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1 C20亚烷基、及含有至少一个多重键的C2 C20烃基所组成的组中的连接基;且R6为C1 C6烷基,及(b)溶剂。
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