[发明专利]用于以薄膜技术制造光电子器件的方法有效
| 申请号： | 200880121612.9 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101904021A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | V·格罗利尔;A·普洛斯尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;李家麟 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在外延衬底(1)上制造对于发光二极管或者其它光电子器件以薄膜技术设置的层结构(5，6，7)，并且该层结构(5，6，7)被配备有第一连接层(2)，该第一连接层(2)包括一种或者更多种焊接材料。在支承体(10)上整面地涂敷第二连接层(3)，并且该第二连接层(3)通过焊接工艺持久地与第一连接层(2)相连。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 技术 制造 光电子 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以薄膜技术制造光电子器件的方法，其中，-在外延衬底(1)上制造针对光电子器件所设置的层结构(5，6，7)，-根据所设置的将台地划分成单个器件来结构化层结构(5，6，7)，-第一连接层(2)被涂敷到台地的上侧上，-第二连接层(3)被涂敷在支承体(10)上，-第一连接层(2)和第二连接层(3)彼此接触并且持久地彼此相连，以及-外延衬底(1)被去除，其特征在于，-第一连接层(2)包括一种焊接材料或者更多种焊接材料。
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