[发明专利]用于以薄膜技术制造光电子器件的方法

权利要求书

1.一种以薄膜技术制造光电子器件的方法，其中，

-在外延衬底(1)上制造针对光电子器件所设置的层结构(5，6，7)，

-根据所设置的将台地划分成单个器件来结构化层结构(5，6，7)，

-第一连接层(2)被涂敷到台地的上侧上，

-第二连接层(3)被涂敷在支承体(10)上，

-第一连接层(2)和第二连接层(3)彼此接触并且持久地彼此相连，以及

-外延衬底(1)被去除，

其特征在于，

-第一连接层(2)包括一种焊接材料或者更多种焊接材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，第二连接层(3)包括与焊接材料相比熔点更高的材料。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，焊接材料是共晶混合物。

4.根据权利要求1至3之一所述的方法，其中，第一连接层(2)借助剥离技术根据台地被结构化。

5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，第一连接层(2)包含锡。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一连接层(2)包含金和锡。

7.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，第一连接层(2)包括金和铋。

8.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，支承体(10)是锗，并且第一连接层(2)和第二连接层(3)包括金。

9.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，支承体(10)是硅，并且第一连接层(2)和第二连接层(3)包括金。

10.根据权利要求1至9之一所述的方法，其中，第一连接层(2)被涂敷在阻挡层(7)上，并且该阻挡层(7)包含Ti或者TiW。

11.根据权利要求1至10之一所述的方法，其中，第二连接层(3)包括Ti/Pt/Au。

12.根据权利要求1至11之一所述的方法，其中，台地的边缘用含有硅的钝化层(8)来覆盖。

13.根据权利要求1至12之一所述的方法，其中，第一连接层(2)仅仅在选择的台地上被制造并且在将第一连接层(2)和第二连接层(3)彼此连接之后仅仅将这样连接的台地从外延衬底(1)去除。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，保留在外延衬底(1)上的台地的整体或者保留在外延衬底(1)上的进一步选择的台地事后被配备有第一连接层(2)并且被转移到配备有另外的第二连接层(3a)的另外的支承体(10a)。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中，转移到支承体(10，10a)上的台地借助激光剥离方法从外延衬底(1)被剥离。