[发明专利]半导体基片的HF处理中水印的减少有效
| 申请号： | 200880120081.1 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101965625A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 哈里德·拉德万 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及清洁和制备半导体基片的疏水性表面的方法，其中，所述半导体基片适于用作外延生长用基础基片。在使用含有氢氟酸(HF)的水溶液清洁基片的情况中，可以将pKa小于3的强酸与HF组合使用和/或可以在施加兆声波的同时进行冲洗。本发明的方法可以制备出显示水印水平降低的疏水性表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 hf 处理 水印 减少 | ||
【主权项】：
一种以抑制水印出现的方式清洁和制备半导体基片的疏水性表面的方法，其中，所述半导体基片适于用作外延生长用基础基片，其中所述清洁和制备疏水性表面的方法包括以下步骤：(a)使用含有氢氟酸(HF)的水溶液清洁所述基片；然后(b)使用去离子水冲洗所述基片，同时在进行所述冲洗的过程中对所述基片施加兆声波。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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