[发明专利]半导体基片的HF处理中水印的减少

权利要求书

1.一种以抑制水印出现的方式清洁和制备半导体基片的疏水性表面的方法，其中，所述半导体基片适于用作外延生长用基础基片，其中所述清洁和制备疏水性表面的方法包括以下步骤：

(a)使用含有氢氟酸(HF)的水溶液清洁所述基片；然后

(b)使用去离子水冲洗所述基片，同时在进行所述冲洗的过程中对所述基片施加兆声波。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(a)之后且在步骤(b)之前，在单独的步骤(b0)中使用去离子水冲洗所述基片而不施加兆声波。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，在冲洗步骤(b)之后，在步骤(c)中干燥所述基片。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的方法，其中，所施加的兆声波功率为100瓦～1200瓦，优选为800W～1000瓦。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的方法，其中，所施加的兆声波频率为1kHz～10MHz，优选为700kHz～1MHz。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的方法，其中，施加兆声波的持续时间为1秒～5分钟，并优选为10秒～60秒。

7.一种以抑制水印出现的方式清洁和制备半导体基片的疏水性表面的方法，其中，所述半导体基片适于用作外延生长用基础基片，其中所述清洁和制备疏水性表面的方法包括以下步骤：

(a)使用含有氢氟酸(HF)以及pKa小于3的强酸的水溶液清洁所述基片，其中所述水溶液中所用的所述强酸的重量浓度小于氢氟酸(HF)的重量浓度；

(b)使用去离子水冲洗所述基片；和

(c)干燥所述基片。

8.如权利要求7所述的方法，其中，步骤(a)的水溶液中使用的所述强酸的pKa小于0。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述强酸选自由盐酸(HCl)、硝酸(HNO₃)、硫酸(H₂SO₄)和高氯酸(HClO₄)组成的组。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述强酸为盐酸(HCl)。

11.如权利要求10所述的方法，其中，步骤(a)的水溶液中所使用的盐酸(HCl)的浓度为0.01重量％～38重量％，优选为0.01重量％～5重量％。

12.如权利要求1～11中的任一项所述的方法，其中，所述基片含有硅、应变硅或硅-锗表层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述基片含有硅-锗表层。

14.如权利要求1～13中的任一项所述的方法，其中，步骤(a)的水溶液中所使用的氢氟酸(HF)的浓度为0.05重量％～49重量％，优选为0.5重量％～10重量％。

15.如权利要求1～14中的任一项所述的方法，其中，所述以抑制水印出现的方式清洁和制备半导体基片的疏水性表面的方法在单晶片清洁装置中进行。

16.一种向基片的表面添加外延层的方法，所述方法包括：

(α)通过如权利要求1～15中的任一项所述的方法清洁和制备最初存在的基片表层的步骤；和

(β)在所清洁和制备的表面上进行外延生长。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述最初存在的基片表层为硅-锗(SiGe)层或应变硅(sSi)层。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述最初存在的表层硅-锗(SiGe)层在步骤(α)中拟清洁的暴露的表面处显示，以Ge原子相对于Si原子的百分比表示的至少为20％的锗浓度。

19.如权利要求16～18中的任一项所述的方法，其中，步骤(β)中的所述外延生长为应变硅(sSi)层或硅-锗(SiGe)层的生长。

20.一种根据如权利要求1～15中的任一项所述的方法得到的经清洁和制备的基片。

21.一种具有在经清洁和制备的基片上通过外延生长而获得的表层的基片，所述经清洁和制备的基片根据如权利要求16～19中的任一项所述的方法而获得。