[发明专利]静电换能器及阵列中的贯穿晶片互连有效
申请号: | 200880118644.3 | 申请日: | 2008-12-03 |
公开(公告)号: | CN101874287A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 黄勇力 | 申请(专利权)人: | 科隆科技公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于制造静电换能器和阵列的方法使用涉及两个切割步骤的技术来使换能器元件的衬底段彼此电分离,其中,第一步骤在衬底中形成摹制开口以产生衬底段的部分分离,以及第二步骤在衬底段被固定之后完成分离以防止在第二步骤完成时衬底段的不稳定。可以通过在部分分离中填充非导电材料或者在支撑衬底上固定换能器阵列来完成衬底段的固定。当衬底是导电性的时,分离的衬底段用作可以被单独编址的分离的底部电极。该方法对于制造1D换能器阵列尤其有用。 | ||
搜索关键词: | 静电 换能器 阵列 中的 贯穿 晶片 互连 | ||
【主权项】:
一种用于制造静电换能器的方法,所述方法包括:在衬底上形成包括至少一个换能器元件的换能器;在所述衬底中形成第一摹制开口,所述第一摹制开口界定对应于所述换能器元件的衬底段的部分边界,以便所述衬底段通过所述衬底中剩余的连接部分保持部分地连接到所述衬底的其余部分。固定所述衬底段,使得即使移除所述衬底中的所述连接部分,所述衬底段仍将与所述衬底保持稳定;以及移除所述衬底中的连接部分,使得所述衬底段不再直接接触所述衬底的其余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造