[发明专利]静电换能器及阵列中的贯穿晶片互连有效

专利信息
申请号: 200880118644.3 申请日: 2008-12-03
公开(公告)号: CN101874287A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 黄勇力 申请(专利权)人: 科隆科技公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 姬利永
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于制造静电换能器和阵列的方法使用涉及两个切割步骤的技术来使换能器元件的衬底段彼此电分离,其中,第一步骤在衬底中形成摹制开口以产生衬底段的部分分离,以及第二步骤在衬底段被固定之后完成分离以防止在第二步骤完成时衬底段的不稳定。可以通过在部分分离中填充非导电材料或者在支撑衬底上固定换能器阵列来完成衬底段的固定。当衬底是导电性的时,分离的衬底段用作可以被单独编址的分离的底部电极。该方法对于制造1D换能器阵列尤其有用。
搜索关键词: 静电 换能器 阵列 中的 贯穿 晶片 互连
【主权项】:
一种用于制造静电换能器的方法,所述方法包括:在衬底上形成包括至少一个换能器元件的换能器;在所述衬底中形成第一摹制开口,所述第一摹制开口界定对应于所述换能器元件的衬底段的部分边界,以便所述衬底段通过所述衬底中剩余的连接部分保持部分地连接到所述衬底的其余部分。固定所述衬底段,使得即使移除所述衬底中的所述连接部分,所述衬底段仍将与所述衬底保持稳定;以及移除所述衬底中的连接部分,使得所述衬底段不再直接接触所述衬底的其余部分。
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