[发明专利]静电换能器及阵列中的贯穿晶片互连

权利要求书

1.一种用于制造静电换能器的方法，所述方法包括：

在衬底上形成包括至少一个换能器元件的换能器；

在所述衬底中形成第一摹制开口，所述第一摹制开口界定对应于所述换能器元件的衬底段的部分边界，以便所述衬底段通过所述衬底中剩余的连接部分保持部分地连接到所述衬底的其余部分。

固定所述衬底段，使得即使移除所述衬底中的所述连接部分，所述衬底段仍将与所述衬底保持稳定；以及

移除所述衬底中的连接部分，使得所述衬底段不再直接接触所述衬底的其余部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是导电性的，以及在移除所述衬底中的所述连接部分之后，所述衬底段用作与所述衬底的其余部分电分离的所述换能器元件的底部电极以被单独编址。

3.根据权利要求1所述的方法，其中固定所述衬底的步骤包括：

在所述第一摹制开口中添加或形成填充物材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中固定所述衬底的步骤包括：

将所述换能器阵列附到支撑衬底。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述支撑衬底是包含将所述换能器连接到外部的导电连接的封装衬底。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，移除所述连接部分的步骤包括：

在所述衬底中形成第二摹制开口，其中所述第一摹制开口和所述第二摹制开口一起界定所述衬底部分的完整边界，以从所述衬底的其余部分分离所述衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述连接部分是机械弱连接，以及移除所述连接部分的步骤包括：

破坏所述机械弱连接。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述换能器在所述衬底的前侧上形成，以及所述第一摹制开口从所述衬底的背侧形成。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

从所述衬底的第一侧形成初始摹制开口以在所述衬底中达到一定深度，其中第一摹制开口从所述衬底的相对侧形成以接触所述初始摹制开口。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，移除所述衬底中的所述连接部分的步骤包括：

在所述衬底中从所述衬底的所述相对侧形成第二摹制开口以接触所述初始摹制开口，其中所述初始摹制开口、所述第一摹制开口和所述第二摹制开口一起界定所述衬底段的完整边界，以从所述衬底的其余部分分离所述衬底段。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述初始摹制开口的步骤包括：

在形成所述换能器之前，在所述衬底的所述第一侧上直接形成初始蚀刻模。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述静电换能器是电容式微机械超声换能器(cMUT)。

13.一种用于制造换能器阵列的方法，所述方法包括：

在衬底上形成包括至少第一换能器元件和第二换能器元件的换能器阵列；

在所述衬底中形成第一摹制开口，所述第一摹制开口界定对应于所述第一换能器元件的第一衬底段以及对应于所述第二换能器元件的第二衬底段的部分边界，使得所述第一衬底段和所述第二衬底段通过在所述衬底中剩余的相应连接部分保持部分地连接到所述衬底；

固定所述第一衬底段和所述第二衬底段，使得即使移除所述连接部分，所述第一衬底段和所述第二衬底段仍将与所述衬底保持稳定；以及

移除所述连接部分，使得所述第一衬底段和所述第二衬底段不再直接接触所述衬底，以及进一步地在所述衬底中不再彼此直接接触。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述衬底是导电性的，所述第一衬底段用作所述第一换能器元件的底部电极，以及所述第二衬底段用作所述第二换能器元件的底部电极，以及在移除所述衬底中的所述连接部分之后，所述第一换能器元件和所述第二换能器元件的底部电极彼此电分离。

15.根据权利要求13所述的方法，其中固定所述衬底的步骤包括：

在所述第一摹制开口中添加或形成填充物材料。

16.根据权利要求13所述的方法，其中固定所述衬底的步骤包括：

将所述换能器阵列附到支撑衬底。