[发明专利]用于将衬底分成单个器件的方法和结构有效
| 申请号： | 200880118559.7 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101883659A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李敏华;王琦;戈登·西姆;马修·雷诺兹;金洙丘;詹姆斯·J·墨菲;哈姆扎·耶尔马兹 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | B23K26/14 | 分类号： | B23K26/14;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张英 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明披露了一种用于从半导体结构获得单个芯片的方法。半导体结构包括器件层，该器件层又包括由预定间隔隔开的有源区。厚金属选择性地形成于器件层的背面上，从而在有源区的背面上形成厚金属而在预定间隔的背面上不形成厚金属。然后，沿着预定间隔切割该半导体结构，从而将在背面上具有厚金属的有源区分成单个芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 分成 单个 器件 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种用于从半导体结构获得单个芯片的方法，所述半导体结构包括器件层，所述器件层又包括由预定间隔隔开的有源区，所述方法包含：在所述器件层的背面上选择性地形成厚金属，以使得在有源区的背面上形成厚金属而在所述预定间隔的背面上不形成厚金属；以及沿着所述预定间隔切割所述半导体结构，以将在其背面上具有厚金属的所述有源区分成单个芯片。
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