[发明专利]用于将衬底分成单个器件的方法和结构

权利要求书

1.一种用于从半导体结构获得单个芯片的方法，所述半导体结构包括器件层，所述器件层又包括由预定间隔隔开的有源区，所述方法包含：

在所述器件层的背面上选择性地形成厚金属，以使得在有源区的背面上形成厚金属而在所述预定间隔的背面上不形成厚金属；以及

沿着所述预定间隔切割所述半导体结构，以将在其背面上具有厚金属的所述有源区分成单个芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，沿着所述预定间隔进行切割包含利用芯片切锯处理来切过不形成厚金属的所述预定间隔。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述预定间隔包含划线区。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，利用选择性电镀形成所述厚金属。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

在形成所述厚金属层之前，在每个有源区的所述背面上方形成晶种层并且晶种层与每个有源区的所述背面接触，用垂直延伸的结构将每个晶种层与相邻的晶种层隔开；以及

引导电镀电流通过每个晶种层，从而导致从相应的所述晶种层形成厚金属。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述晶种层包括金属层和扩散阻挡层。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，利用背面对准掩模处理来形成所述垂直延伸的结构，所述背面对准掩模处理使所述垂直延伸的结构与所述划线区对准。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件层包括FET结构，所述FET结构包括：

在所述器件层的上部中的源极区；

与所述源极区接触的顶侧金属层；以及

延伸到所述器件层的下部中的漏极区，其中，所述厚金属沿着所述器件层的背面与所述漏极区直接接触，所述厚金属比所述顶侧金属层厚。

9.一种用于从半导体结构获得单个芯片的方法，所述半导体结构包括器件层，所述器件层又包括由预定间隔隔开的有源区，所述方法包含：

沿着所述预定间隔的背面形成垂直延伸的结构，以使得所述垂直延伸的结构围绕每个有源区，从而在每个有源区的背面上形成开口；

在每个开口中形成厚金属；

切过所述垂直延伸的结构，以将在其背面上具有厚金属的所述有源区分成单个芯片。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，利用选择性电镀形成所述厚金属。

11.根据权利要求9所述的方法，进一步包含：

在形成所述厚金属层之前，在每个有源区的所述背面上方形成晶种层并且所述晶种层与每个有源区的所述背面接触，并在所述垂直延伸的结构的顶表面上方形成晶种层并且所述晶种层与所述垂直延伸的结构的顶表面接触，所述晶种层沿着所述开口的侧壁是不连续的。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成厚金属包含：

引导电镀电流通过在每个有源区的所述背面上方延伸并且与每个有源区的所述背面接触的晶种层。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述晶种层包括金属层和扩散阻挡层。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述器件层包括FET结构，所述FET结构包括：

在所述器件层的上部中的源极区；

与所述源极区接触的顶侧金属层；以及

延伸到所述器件层的下部中的漏极区，其中，所述厚金属沿着所述器件层的所述背面与所述漏极区直接接触，所述厚金属比所述顶侧金属层厚。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述预定间隔包含划线区。

16.根据权利要求9所述的方法，其中，利用背面对准掩模处理来形成所述垂直延伸的结构，所述背面对准掩模处理使所述垂直延伸的结构与所述划线区对准。