[发明专利]纳米粒子材料的制备有效
| 申请号： | 200880118106.4 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101878535A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 奈杰尔·皮克特;詹姆斯·哈里斯 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于制备纳米粒子的方法，所述纳米粒子结合了选自周期表的第(13)，(16)和(11)或(12)族的离子。所述方法包括：在硒醇化合物的存在下，进行包含所述第(13)，(16)和(11)或(12)族离子的纳米粒子前体组合物向所述纳米粒子的材料的转化。本发明还描述了一种用于制备包含纳米粒子的薄膜的方法，所述纳米粒子结合了选自周期表的第(13)，(16)和(11)或(12)族的离子，以及一种用于制备包含所述纳米粒子的可印刷的墨制剂的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 粒子 材料 制备 | ||
【主权项】：
一种用于制备纳米粒子的方法，所述纳米粒子结合了选自周期表的第13，16和11或12族的离子，所述方法包括：在硒醇化合物的存在下，进行包含所述第13，16和11或12族离子的纳米粒子前体组合物向所述纳米粒子的材料的转化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
