[发明专利]载流子流产生电子器件及方法有效
| 申请号： | 200880117163.0 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101868828A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 托尼·范胡克;雷德弗里德勒·A·M·胡尔克斯;杨·W·斯洛特布曼 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包括用于产生载流子流(125)的发生器的电子器件。该发生器包括双极晶体管(100)和控制器，该双极晶体管(100)具有发射极区(120)、集电极区(160)和基极区(140)，并且基极区(140)在发射极区(120)和集电极区(160)之间取向，该控制器用于控制双极晶体管(100)暴露于超过其开路基极击穿电压(BVCEO)的电压，使得发射极区(120)从比发射极区的表面区域更小的第一区域产生载流子流(125)。该电子器件还包括设置成接收载流子流的材料(410)，载流子流用于触发所述材料性能的变化，发射极区(120)设置在基极区(140)和材料(410)之间。在操作中，该双极晶体管(100)受到超过其开路基极击穿电压(BVCEO)的电压，使得发射极区(120)从比发射极区的表面区域更小的第一区域产生载流子流，例如电子。因此，可以利用具有亚光刻尺寸的电子流，而不要求复杂的光刻工艺步骤。本发明尤其适合用于相变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 流产 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：用于产生载流子流(125)的发生器，所述发生器包括：双极晶体管(100)，具有发射极区(120)、集电极区(160)和基极区(140)，所述基极区(140)在所述发射极区(120)和所述集电极区(160)之间取向，以及控制器，用于控制双极晶体管(100)暴露于超过其开路基极击穿电压(BVCEO)的电压，使得发射极区(120)从比发射极区的表面区域更小的第一区域产生载流子流(125)。
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