[发明专利]载流子流产生电子器件及方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

用于产生载流子流(125)的发生器，所述发生器包括：

双极晶体管(100)，具有发射极区(120)、集电极区(160)和基极区(140)，所述基极区(140)在所述发射极区(120)和所述集电极区(160)之间取向，以及

控制器，用于控制双极晶体管(100)暴露于超过其开路基极击穿电压(BV_CEO)的电压，使得发射极区(120)从比发射极区的表面区域更小的第一区域产生载流子流(125)。

2.根据权利要求1所述的电子器件，还包括设置成对载流子流暴露的材料(410)，所述载流子流用于触发所述材料性能的变化。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中选择所述双极晶体管的掺杂分布，以增强从所述发射极区(120)的第一区域的载流子流的产生。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中所述集电极区包括具有横向梯度的掺杂分布。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的电子器件，其中所述发生器设置成用作场发射器。

6.根据权利要求2-4中任一项所述的电子器件，还包括电极(420)，其中所述材料(410)包括在所述电极(410)和所述基极区(140)之间取向的相变材料。

7.根据权利要求6所述的电子器件，其中所述材料在所述电极和所述发射极区(120)之间取向。

8.根据权利要求6所述的电子器件，其中所述材料形成所述发射极区(120)的至少一部分。

9.根据前述权利要求中任一项所述的电子器件，其中所述基极区(140)包括多个不同位置的基极端子，用于控制所述发射极区表面区域中第一区域的位置。

10.根据前述权利要求任一项所述的电子器件，其中所述双极晶体管(100)连接成以反型模式操作。

11.根据前述权利要求中任一项所述的电子器件，包括多个双极晶体管(100)，每一个晶体管设置成引起相应的材料部分(410)的性能变化。

12.一种用于产生载流子流的方法，包括：

提供双极晶体管(100)，所述双极晶体管(100)具有发射极区(120)、集电极区(160)和基极区(140)，所述基极区(140)在所述发射极区(120)和所述集电极区(160)之间取向；以及

控制双极晶体管(100)暴露于超过其开路基极击穿电压(BV_CEO)的电压，使得发射极区(120)从比发射极区的表面区域更小的第一区域产生载流子流。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

提供材料(410)，所述材料(410)设置成接收载流子流；以及

利用载流子流触发所述材料性能的变化。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述材料(410)是相变材料，并且其中触发性能变化包括改变所述材料(410)的结晶相。

15.根据权利要求12-14所述的方法，其中所述双极晶体管(100)的所述基极区(140)包括多个不同位置的基极端子，所述方法还包括通过将预定数目的所述基极端子连接到控制信号，控制所述发射极区表面区域中第一区域的位置。

16.根据权利要求12-15中任一项所述的方法，还包括以反型模式操作所述双极晶体管(100)。