[发明专利]深紫外半导体发光装置无效
| 申请号： | 200880114647.X | 申请日： | 2008-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101842869A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 喜多隆 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人神户大学 |
| 主分类号： | H01J63/04 | 分类号： | H01J63/04;H01J29/20;H01J31/12;H01J63/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁;郑暄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 目前被作为紫外光源使用的水银灯无法小型化，而且发光二极管的对应波长也只在365nm以下很难实现实用化的情况下，本发明提供了一种大面积高亮度的深紫外发光装置。该深紫外发光装置，具有阳极基板，其以氮化铝作为主要材料，添加了钆(Gd)等稀土金属离子的紫外荧光体薄膜；阴极基板，具有场致电子发射材料薄膜；将上述阳极基板和阴极基板相向设置；还具有垫片，可以让基板之间的空隙保持在真空状态；以及包括在阳极基板和阴极基板之间的外加电场电压回路构成。将阳极基板和阴极基板之间的空隙作为真空通道区域，在基板之间外加电场，将上述场致电子发射薄膜材料发射出的电子束注入上述紫外荧光体薄膜，使之发光的深紫外发光装置。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种深紫外半导体发光装置，其特征在于：具有阳极基板，其以氮化铝作为主要材料，添加了钆(Gd)等稀土金属离子的紫外荧光体薄膜；阴极基板，具有场致电子发射材料薄膜；将上述阳极基板和阴极基板相向设置；还具有垫片，可以让基板之间的空隙保持在真空状态；以及包括在阳极基板和阴极基板之间的外加电场电压回路构成。将阳极基板和阴极基板之间的空隙作为真空通道区域，在基板之间外加电场，将上述场致电子发射薄膜材料发射出的电子束注入上述紫外荧光体薄膜，使之发光的深紫外发光装置。
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