[发明专利]深紫外半导体发光装置

权利要求书

1.一种深紫外半导体发光装置，其特征在于：具有阳极基板，其以氮化铝作为主要材料，添加了钆(Gd)等稀土金属离子的紫外荧光体薄膜；阴极基板，具有场致电子发射材料薄膜；将上述阳极基板和阴极基板相向设置；还具有垫片，可以让基板之间的空隙保持在真空状态；以及包括在阳极基板和阴极基板之间的外加电场电压回路构成。将阳极基板和阴极基板之间的空隙作为真空通道区域，在基板之间外加电场，将上述场致电子发射薄膜材料发射出的电子束注入上述紫外荧光体薄膜，使之发光的深紫外发光装置。

2.如权利要求1中所述的深紫外半导体发光装置，其特征在于：紫外半导体发光装置中的紫外荧光体薄膜中添加的稀土金属离子，是指由钆(Gd)，铕(Eu)，镝(Dy)，镧(La)，铈(Ce)，钐(Sm)，钇(Y)，钕(Nd)，铽(Tb)，镨(Sm)，铒(Er)，铥(Tm)，镱(Yb)，钪(Sc)，钷(Pm)，钬(Ho)和镥(Lu)等稀土金属离子构成的群中筛选而得到一种或至少一种以上的金属离子。

3.如权利要求1中所述的深紫外半导体发光装置，其特征在于：深紫外半导体发光装置里的紫外荧光体薄膜，选用钆(Gd)或钆化合物作为发光中心。

4.如权利要求1中所述的深紫外半导体发光装置，其特征在于：深紫外半导体发光装置里的紫外荧光体薄膜，在氮化铝中掺杂了硅，降低了上述紫外荧光体薄膜的电阻值。

5.如权利要求1中所述的深紫外半导体发光装置，其特征在于：深紫外半导体发光装置里的紫外荧光体薄膜、在充满氮气的状态下，将铝(Al)和钆(Gd)进行溅射制成掺钆氮化铝薄膜。